DDpay钱包

近日，，，由DDpay钱包高科主办的《推进“芯”发展 走进科学城》系列活动第四期：：“崛起中的第三代半导体”圆满进行。。。本次活动以第三代半导体主题，，，约请集成电路产业高低游有关企业齐聚一堂，，，探寻第三代半导体近况及将来发展趋向。。。现场80余位企业高管及有关产业人士参加线下互换。。。

萦绕第三代半导体的话题，，，由内江镓谷半导体有限公司副总经理王萍和广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳先后对氮化镓、、、碳化硅的技术及市场趋向做了具体分析。。。

内江镓谷半导体有限公司副总经理 王萍

王萍先生从 “氮化镓的产业动态和将来发展以及外延对产业发展的影响”两个方面发展第三代半导体氮化镓的市场概况、、、产业动态、、、重要玩家以及将来发展方向等内容的分享。。。王萍先生分享过程中从多维度分析，，，具体论述了外延对氮化镓的影响并给出了若何破局之法。。。

广东芯聚能半导体有限公司总裁 周晓阳

周晓阳先生从SiC的近况和远景、、、SiC器件在新能源汽车上的利用等方面，，，分享碳化硅主驱将成为中高档电动汽车的主流的主题汇报，，，在SiC使用上从起初的几款车型到目前的几十种车型足以看出SiC技术正在促使新能源汽车的发展。。。周晓阳先生在论坛上给出了“新能源汽车中纯电的比例会增长、、、纯电中800V平台的比例会增长、、、800V平台会被碳化硅主驱主宰、、、碳化硅主驱将成为中高档电动汽车的主流（会很快）”等几个确定性大趋向。。。

以“崛起中的第三代半导体”为主题的产业圆桌对话环节，，，由IC咖啡结合首创人王欣宇先生主持，，，芯聚能半导体总裁周晓阳、、、镓谷半导体副总经理王萍、、、北方华创SiC领域经理刘潇、、、芯华睿半导体市场与投融资总监赵同月等嘉宾出席此环节并陆续颁发了怪异的小我见解。。。

IC咖啡结合首创人 王欣宇

王欣宇先生在集成电路领域深耕多年，，，今天担任本次论坛的主持人。。。他别离向参加论坛的嘉宾，，，从技术、、、市场、、、趋向等分歧维度提出了分歧的话题。。。如 ：：SiC器件在发展过程中有哪些机缘与挑战? 氮化镓外延片的技术难点在哪里？？氮化镓利用领域哪些机遇比力多? 从产业链角度，，，其他常见设备国内的发展情况若何？？新能源汽车给化合物半导体带来的机缘和空间若何?

上海芯华睿半导体科技有限公司市场与投融资总监 赵同月

在谈到新能源汽车给化合物半导体带来的机缘和空间话题时；；芯华睿半导体赵同月女士首先介绍了在汽车电子及半导体行业二十几年研发、、、销售，，，治理经验，，，曾任上汽英飞凌总经理的公司首创人王学合博士，，，主题团队以及目前公司在车规IGBT，，， SIC自研芯片，，，器件，，，模组的急剧稳重的发展示状。。。

其次，，，分享了从她自己从汽车实体到投资人再回归到实体对行业的认知视角，，，新能源汽车作为被将来界说的智能终端，，，其电动化和智能化的过程，，，为拥有特殊机能的第三代半导体，，，带来巨大创新机遇。。。同时，，，新能源汽车极高的安全诉求和主题节制部件一旦失效带来的巨大召回成本，，，都对车规半导体的机能和质量提出了极高的要求。。。将来，，，随着纯电，，，混动驱动方式的不休演化，，，和不休下沉的细分市场格局，，，硅基IGBT依然存在很长的盈利期，，，国产代替机遇留给那些具备敏感市场嗅觉，，，精准产品定位，，，严守产品质量的企业。。。而电动汽车架构向高压过渡，，，成为宽禁带SIC半导体上车催化剂，，，肯定是一个能够创制巨大价值的绝佳赛道。。。

广东芯聚能半导体有限公司总裁 周晓阳

在谈到碳化硅在新能源汽车上的利用时，，，芯聚能半导体总裁周晓阳先生介绍了碳化硅在新能源汽车上的利用趋向，，，也介绍了广东芯聚能半导体在碳化硅主驱？？榱煊蛩竦玫某删停，，并对当前产业过热提出自己的概念。。。

周总以为一下几点将成为将来几年的发展趋向，，，新能源汽车讲逐步向纯电过度，，，纯电动汽车将逐步向800V平台过度，，，800V平台的主驱正在很快向碳化硅过度。。。芯聚能半导体已经累计交付超13万块碳化硅主驱？？椋，，稳居国产碳化硅主驱？？榍傲矫。。。周总也谈到，，，国产碳化硅？？檎季萘顺泄谐〉拇蟛猩绞Ｋú辉毯厮估，，芯聚能和BYD半导体占据了2022，，，2023国产碳化硅？？榈木蟛棵攀谐》荻。。。

周总小我以为碳化硅市场远景辽阔，，，碳化硅产业极度有前途！！！碳化硅赛道已经过于拥挤，，，有人掉队，，，并购不成预防；；碳化硅产业创业的功夫窗口几近关闭（除非有新的技术创新或独门绝技）！！！

内江镓谷半导体有限公司副总经理 王萍

镓谷半导体副总经理王萍先生在谈到氮化镓利用的话题时，，，暗示氮化镓（GaN）除了在功率半导体方面的利用之外，，，还在其他领域展示出潜力和利用：：

1、、、光电子学和激光技术：：氮化镓被用于制作高机能的光电子器件，，，如激光二极管（LD）和光电二极管（PD）。。。这些器件在通讯、、、激光打印、、、光纤通讯等领域有着宽泛的利用。。。

2、、、无线通讯和雷达系统：：GaN技术能够用于制作高频、、、高功率的射频（RF）功率放大器，，，这对于无线通讯、、、雷达系统等必要高机能射频器件的利用领域尤为重要。。。

3、、、紫外线LEDs：：氮化镓还被用于制作紫外线LEDs，，，这些LEDs在消毒、、、固态照明和传感器等领域有宽泛利用。。。

现场专业听众在问到GaN的良率问题时，，，王萍先生暗示抽象的讲良率问题比力难概括，，，但是能够分产品线和制程阶段来讲。。。1、、、若是依照某些产品线，，，好比650V emode的HEMT器件，，，一些公司能够做到95%以上的良率，，，但是一些大电流、、、高功率的良率可能只有30%。。。2、、、若是依照制程阶段来分，，，好比外延资料端良率能够做到90%以上，，，但是晶圆端是比力难分辨的。。。3、、、总的良率也是没有法子以乘积的大局体现的。。。

北京北方华创微电子设备有限公司SiC领域经理 刘潇

从设备的角度看siC发展，，，北方华创有哪些布局？？从产业链角度，，，其他常见设备的国内发展情况若何？？有哪些重要厂商？？这一问题，，，北方华创刘潇女士暗示，，，北方华创很早就布局了SiC赛道，，，目前面向化合物领域可提供二十余款设别，，，SiC领域蕴含SiC长晶炉、、、SiC外延、、、硅\金属\介质\SiC刻蚀机、、、SiO2\TEOS\BPSG\C膜类PECVD沉积设备，，，以及PVD设备，，，与国内头部客户全面合作，，，累计订单超2500台套。。。目前在国内市场的牵引下，，，国内竞品层出不穷，，，按领域划分，，，竞品数量在7-9家之间，，，国内设备厂商内卷、、、竞争强烈。。。

总体来看，，，国产设备在光刻机、、、离子注入机上仍与国外存在较大差距。。。

北方华创刘潇女士在谈到化合物在SiC和GaN到底谁更有优势？？从前以为GaN器件在600V以下，，，目前看1200V也能做；；GaN重要挑战是高靠得住性和热不变性，，，由于Si基上外延GaN晶格失配或热失配比SiC上大得多。。。高压下，，，GaN外延成长更厚，，，就面对热应力及多种缺点，，，必要持续攻关。。。目前看SiC在800V 1200V及以上超高压领域，，，走的都更快一些。。。